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協(xié)昌科技(301418.SZ):目前已搭建溝槽型MOSFET、中低壓SGT MOSFET、高壓超結(jié)MOSFET及IGBT四個(gè)研發(fā)平臺(tái)

來(lái)源: 市場(chǎng)資訊2023-08-25 23:16:07
  


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來(lái)源:格隆匯

格隆匯8月25日丨有投資者向協(xié)昌科技(301418.SZ)提問(wèn),“請(qǐng)問(wèn)貴司有研發(fā)芯片嗎?”

協(xié)昌科技回復(fù)稱,公司全資子公司凱思半導(dǎo)體專利從事功率芯片產(chǎn)品的研發(fā)和銷(xiāo)售,公司目前已經(jīng)搭建了溝槽型 MOSFET、中低壓SGT MOSFET、高壓超結(jié) MOSFET 及 IGBT 四個(gè)研發(fā)平臺(tái),擁有了較為完整的產(chǎn)品線布局。

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