8月23日消息，近來 NAND 閃存客戶需求低迷，三星電子此前計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備，并暫停存儲芯片第六代 V-NAND 成熟型制程報價。

(資料圖片僅供參考)

此前據(jù)外媒 BusinessKorea 報道，在市場需求未明顯好轉(zhuǎn)的情況下，三星電子和 SK 海力士正面臨不小的壓力，庫存依舊處在高位，下半年考慮將繼續(xù)減產(chǎn)。

而據(jù)外媒引用供應鏈消息表示，今年第三季度 DRAM 芯片的平均價格將延續(xù)下跌態(tài)勢，環(huán)比跌幅 5%，超出此前預期的 3%。

外媒稱，存儲行業(yè)人士表示，芯片制造商的存儲芯片庫存下跌速度，沒有他預料的那么快，庫存過剩問題可能延續(xù)至 2024 年上半年，目前第四季度交貨價格比預期要差。

而當下產(chǎn)業(yè)預估的情況是“存儲芯片價格明年年初會上漲”，不過外媒表示，若價格跌勢未能按預期扭轉(zhuǎn)，相關(guān)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品“漲價的時間點將不可避免地延后”。

據(jù)悉，三星電子負責存儲業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案部門的庫存，在上半年結(jié)束時已增至 33.69 萬億韓元，高于去年年底時的 29.06 萬億韓元。SK 海力士在上半年結(jié)束時的庫存為 16.42 萬億韓元，較去年年底也增加了 5%。

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